L’HaXPES fait son entrée à l’ICB (UMR 6303) Dijon
L’HaXPES est une technique puissante et non destructive pour obtenir des informations chimiques quantitatives sur des matériaux complexes (matériaux hybrides organiques-inorganiques, interfaces enfouies, composants micro- ou nano-électroniques, empilements multiples de divers matériaux constituant les cellules solaires ou les piles à combustible). Les sources de rayons X disponibles (Al Kα1 à 1486.6 eV et Cr Kα1 à 5414.9 eV.) associées aux acquisitions à différents angles d’émergence des photoélectrons, permettent de réaliser des analyses chimiques quantitatives d’environnement sur des épaisseurs pouvant varier de 1 à plus de 25 nm. L’appareil est équipé d’un dispositif de chauffage-refroidissement d’échantillon (mesures en mode cryo-HAXPES). >> Lire la suite